SK Hynix於週三向美國證券交易委員會（SEC）提交秘密文件，計劃於2026年在紐約證券交易所發行美國存托憑證（ADR），以籌集資金擴充高頻寬記憶體（HBM）產能。此舉反映AI需求驅動的記憶體市場快速成長，導致全球供應鏈吃緊，SK Hynix與三星、美光等競爭對手積極擴建廠房。據報導，該公司考慮籌資10至15兆韓元（約6.7至10億美元），並已提前完成韓國清州M15X晶圓廠建設，同時推進美國印第安納州先進封裝廠與韓國永進半導體園區的建設。此外，SK Hynix近期以11.95兆韓元向ASML購入先進製程設備，顯示其對AI芯片技術的長期投入。該公司股價在週三上漲逾5%，2025年累計上漲274%，反映市場對其擴張戰略的樂觀預期。
此報導揭示SK Hynix透過ADR上市，不僅可籌資擴充產能，亦能提升國際市場能見度。然而，ADR流動性較低可能影響投資者興趣，但使用現有股份發行可避免稀釋股東權益。值得注意的是，SK Hynix將記憶體定位為AI系統的核心元件，反映半導體產業價值鏈從「零組件」轉向「關鍵技術」的轉變。此舉不僅影響全球記憶體價格與供需，亦可能重塑美國與亞洲在半導體製造與AI基礎設施的競爭格局。
原文網頁：SK Hynix files confidentially for U.S. listing as it rides ”unprecedented growth” in memory market (by Dylan Butts)
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